随着人工智能技术的飞速发展，AI手机的市场占比正快速攀升。据CFM闪存市场预测，其占比将从2024年的10%左右，于2025年跃升至30%，2026年进一步达到50%。存储芯片作为AI算力落地的关键支撑，发展态势强劲。2024年，全球存储行业总收入创下1670亿美元的历史新高。全球存储芯片市场主要由三星、SK海力士、铠侠、美光和闪迪（旧西部数据）五大厂商主导，它们占据了全球92.7%的市场份额，其中铠侠承担了闪迪的晶圆生产，其产能约占全球闪存芯片市场的30%。
铠侠近期宣布推出第十代BiCS10技术，最多可堆叠332层，采用更先进的存储阵列，实现更高的堆叠层数、存储密度和性能。未来，更高层堆叠与异构集成技术有望成为主流方向，三星和铠侠均计划在2030年前后向1000层NAND闪存迈进。然而，堆叠层数的增加会显著提升成本，技术难度增大，蚀刻难度也会迅速上升，这使得蚀刻工艺、金属布线、腔室清洁等工艺对气体材料提出了新的要求。日本关东电化公司推出的新型电子特气KSG系列中的“KSG-14”和“KSG-5”已开始销售，预计截至2026年3月的财年销售额约为40亿日元。此外，该公司正在考虑量产用于低温蚀刻的“KSG-22”，预计截至2027年3月的财年销售额约为5亿日元。
在存储芯片内部，大量的数据传输路径依赖金属布线实现。钼前驱体有望取代现有的六氟化钨，成为下一代金属布线材料，从而提升NAND闪存的整体性能和可靠性。美光已确认采用这种工艺，据业内人士透露，三星电子自第9代（286层）NAND以来一直在使用钼，从400层的第10代NAND开始，钼的比例有望进一步增加。
铠侠电子（中国）有限公司采购总监高田祐生先生和采购高级经理廖凯先生将出席4月16日至18日在江苏无锡举办的2025气博会暨第10届国际气体产业大会，并作专题分享《先进存储芯片技术发展对气体材料的需求及变化》。同期论坛也将围绕相关主题展开深入讨论。
