3月10日，江苏鑫华半导体年产200吨高纯硅基类电子特气项目环评公示。
建设性质：改扩建
建设地点：徐州经济技术开发区杨山路66号，江苏鑫华半导体科技股份有限公司厂区内。
投资总额：总投资为15238.93万元，其中环保投资1147万元。
占地规模：本项目不新增工业用地，在江苏鑫华半导体科技股份有限公司精馏装置罐区东侧空地9.405亩进行建设。
建设规模及内容：在江苏鑫华半导体科技股份有限公司精馏装置罐区东侧空地9.405 亩新建浓缩提纯、精馏纯化产线，新增精馏塔等设备 44 台(套)。
本项目实施后，年新增高纯硅基类电子特气产能200吨。
